生产厂家 : LG 半导体公司, 公司. 制造国 : 韩国零件编号 : ? 构成因素 : SIMM 特点 : 72销, EDO DRAM, 非奇偶内存容量 : 16MB 带宽 : 32位速度 : 60NS(RAC) 电压 : 5V芯片组成 : GM71C17400CJ6 × 8 筹码制作年/周 : 1998/27 一颗芯片容量 : 4中号 […]
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生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建造年份 : 1994 制造国 : 韩国零件编号 : HYM532100AM-70 外形尺寸 : SIMM 内存类型 : EDO DRAM 内存容量 : 4MB 总线类型 : 快速页面内存 (FPM) 纠错 : 非奇偶校验引脚 : 72针脚带宽 : 32位延迟 : 70NS (RAC) 电压 […]
KMM591000AN-7由两块KM44C1000AJ-7芯片和一块KM44C1000CJ-7芯片组成. KMM591000BN-7由2个KM44C1000BJ-7芯片和1个KM44C1000CJ-7芯片组成. 它们是三星电子生产的1MB DRAM SIMM。. 制造商 : 三星电子制造年份 : 1992 / 1993 制造国 : 韩国模块功能 : 30销, SIMM, 奇偶校验RAM内存容量 […]
EDO DRAM 具有用于更快数据 I/O 的临时存储空间. 当系统无法接收缓存支持时有效. 但是如果系统有缓存, EDO DRAM的影响很小. 生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建立年/周 : 1997/32 制造国 : 韩国 (韩国) 零件号 […]
这SIMM镀上金色. 电镀颜色和该SIMM的板的形式是从具有GM71C4400A的SIMM不同. GM71C4400B是1M×4位. 而GM71C1000B为1M×4位. 的存储器容量和该SIMM的功能不从与GM71C4400A和GM71C1000的SIMM不同. 制造业 […]
