三星2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

发布者 DeviceLog.com | 张贴在 DDR2 SDRAM | 发表于 2016-06-05

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三星DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

产品名称三星DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400型号的M378T5663QZ3-CF7制造商三星电子制造国中国建设年/周 2009/04, 2010/07 内存模块的类型DIMM数据容量2GB主频800Mhz的 (PC2-6400) 存储器时序CL = 6, 的tRCD = 6, tRP的= 6个特点条240pin, 非缓冲非ECC DDR2 SDRAM DIMM数据位的x64模块内部银行 8 行列 2 数据 […]

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三星8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0)

发布者 DeviceLog.com | 张贴在 DDR3 SDRAM | 发表于 2015-03-20

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三星8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

产品名称三星8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 制造商三星电子生产国菲律宾制造年份/周 2014/08 数据容量8GB时钟速度1600Mhz (PC3-12800) 内存时序CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11功能240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生产过程技术 20, 30, 40nm数据位x64内部模块库 8 行列 […]

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三星512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

发布者 DeviceLog.com | 张贴在 DDR SDRAM | 发表于 2015-03-03

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三星DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

M368L6423DTM 为 32M 位 x 64 双倍数据速率(DDR) 分别基于第五代256Mb DDR SDRAM的SDRAM高密度内存模块. M368L6423DTM 由十六个 CMOS 32M x 8 位与 4banks 双倍数据速率 SDRAM 在 66pin TSOP-II(400密尔) 封装安装在 184pin 玻璃环氧树脂基板上. 四个 0.1uF 去耦电容是 […]

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三星32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0)

发布者 DeviceLog.com | 张贴在 SDRAM | 发表于 2013-03-14

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产品名称 : 三星 SDRAM 32MB PC66 部件号 : KMM366S403BTN-G0 制造商 : 三星电子 (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 1997/33 数据容量 : 32MB 时钟速度 : 66兆赫 (PC66) 特征 : 168销, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 芯片VDD : 3.3V

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三星512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, 非正版RAM)

发布者 DeviceLog.com | 张贴在 DDR SDRAM | 发表于 2013-03-13

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产品名称 : 三星DDR SDRAM 512MB PC3200 (非原装零件) 零件号 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC制造商 : 三星电子 (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 2003/33 数据容量 : 512MB 时钟速度 : 400兆赫 (PC3200) 特征 : 184销, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [SEC K4H560838E，TCCC] ✕ 8 芯片数据 […]

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