产品名称三星DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB内存 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 制造商三星电子生产国中国制造年/周 2010/38 数据容量2GB时钟速度1333Mhz (PC3-10600) 配备240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生产过程技术40nm数据位x64内部模块库 8 数据芯片组合物 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 芯片 […]
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产品名称 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1零件编号 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F制造商 : ELPIDA生产国 : 台湾建设年/周 : 2010/38 构成因素 : DDR3 SO-DIMM功能 : 204销, 非ECC内存容量 : 2GB最大数据速率 : 1333Mbps电压 : 1.5V组织 : 256M字× 64 位, 2 排名芯片组成 : J1108BFBG-DJ-F […]
EDO DRAM 具有用于更快数据 I/O 的临时存储空间. 当系统无法接收缓存支持时有效. 但是如果系统有缓存, EDO DRAM的影响很小. 生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建立年/周 : 1997/32 制造国 : 韩国 (韩国) 零件号 […]
这SIMM镀上金色. 电镀颜色和该SIMM的板的形式是从具有GM71C4400A的SIMM不同. GM71C4400B是1M×4位. 而GM71C1000B为1M×4位. 的存储器容量和该SIMM的功能不从与GM71C4400A和GM71C1000的SIMM不同. 制造业 […]
金星是金星电子有限公司的商标, 公司. 它更名为LG半导体 (LG半导体设备) 在 1995, 并且它被合并了现代电子产业 (目前海力士) 在 1999. 制造商 : 金星电子制造年: 1993 制造国 : 韩国模块功能 : 30销, DRAM, SIMM, 奇偶校验内存 […]
