产品名称 : 三星 16MB SDRAM 16MB PC66 部件号 : KMM366S203CTL-G0 制造商 : 三星电子公司, 公司. (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 1998/09 数据容量 : 16MB 时钟速度 : 66兆赫 (PC66) 特征 : 168 销, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [KM48S2020CT-G10] × 8 芯片 (2中号 […]
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产品名称 : LG SDRAM 16MB PC66 部件号 : GMM2642233BLTG-10K 7101S 制造商 : LG 半导体公司, 公司. 制造国 : 韩国建造年/周 : 1997/03 数据容量 : 16MB 时钟速度 : 66兆赫 (PC66) 特征 : 168销, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [GM72V16821BT10K] × 8 芯片 (2米×64位) 一 […]
产品名称三星DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) 型号M378A2K43CB1-CTD (C-的) 制造中国构建年/周的制造商三星电子国家 2019 / 06 DIMM类型UDIMM数据容量16GB的数据传输速率 (最大带宽) 2666.67 MT / s的 (21333.33 MB /秒) 内存时序 (CL – 的tRCD – 激进党 – tRAS的 – TRC) 19-19-19-43-61 特点288pin, ECC无缓冲 […]
产品名称三星DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) 型号M378A1K43CB2-CTD (C-的) 制造中国构建年/周的制造商三星电子国家 2018 / 28 DIMM类型UDIMM数据容量8GB的数据速率 (最大带宽) 2666.67 MT / s的 (21333.33 MB /秒) 内存时序 (CL – 的tRCD – 激进党 – tRAS的 – TRC) 19-19-19-43-61 特点288pin, ECC无缓冲 […]
产品名称三星DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400型号的M378T5663QZ3-CF7制造商三星电子制造国中国建设年/周 2009/04, 2010/07 内存模块的类型DIMM数据容量2GB主频800Mhz的 (PC2-6400) 存储器时序CL = 6, 的tRCD = 6, tRP的= 6个特点条240pin, 非缓冲非ECC DDR2 SDRAM DIMM数据位的x64模块内部银行 8 行列 2 数据 […]
