产品名称 : 三星 16MB SDRAM 16MB PC66 部件号 : KMM366S203CTL-G0 制造商 : 三星电子公司, 公司. (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 1998/09 数据容量 : 16MB 时钟速度 : 66兆赫 (PC66) 特征 : 168 销, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [KM48S2020CT-G10] × 8 芯片 (2中号 […]
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产品名称 : LG SDRAM 16MB PC66 部件号 : GMM2642233BLTG-10K 7101S 制造商 : LG 半导体公司, 公司. 制造国 : 韩国建造年/周 : 1997/03 数据容量 : 16MB 时钟速度 : 66兆赫 (PC66) 特征 : 168销, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [GM72V16821BT10K] × 8 芯片 (2米×64位) 一 […]
生产厂家 : LG 半导体公司, 公司. 制造国 : 韩国零件编号 : ? 构成因素 : SIMM 特点 : 72销, EDO DRAM, 非奇偶内存容量 : 16MB 带宽 : 32位速度 : 60NS(RAC) 电压 : 5V芯片组成 : GM71C17400CJ6 × 8 筹码制作年/周 : 1998/27 一颗芯片容量 : 4中号 […]
EDO DRAM 具有用于更快数据 I/O 的临时存储空间. 当系统无法接收缓存支持时有效. 但是如果系统有缓存, EDO DRAM的影响很小. 生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建立年/周 : 1997/32 制造国 : 韩国 (韩国) 零件号 […]
