产品名称三星DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB内存 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 制造商三星电子生产国中国制造年/周 2010/38 数据容量2GB时钟速度1333Mhz (PC3-10600) 配备240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生产过程技术40nm数据位x64内部模块库 8 数据芯片组合物 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 芯片 […]
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威刚 Viesta DDR600 Viesta 内存, 在 DDR SDRAM 内存模块中, 三星TCCD内存芯片率先达到600Mhz时钟速度. A-data Viesta的数据容量为512MB或256MB. 它主要用于超频. 产品名称 A-DATA Vitesta DDR600 512MB 零件编号 MDOSSLF3H47A0B1G0Z 制造商 A-DATA 制造国家台湾制造年份 2004 特点 184pin Unbuffer […]
KMM591000AN-7由两块KM44C1000AJ-7芯片和一块KM44C1000CJ-7芯片组成. KMM591000BN-7由2个KM44C1000BJ-7芯片和1个KM44C1000CJ-7芯片组成. 它们是三星电子生产的1MB DRAM SIMM。. 制造商 : 三星电子制造年份 : 1992 / 1993 制造国 : 韩国模块功能 : 30销, SIMM, 奇偶校验RAM内存容量 […]
产品名称 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1零件编号 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F制造商 : ELPIDA生产国 : 台湾建设年/周 : 2010/38 构成因素 : DDR3 SO-DIMM功能 : 204销, 非ECC内存容量 : 2GB最大数据速率 : 1333Mbps电压 : 1.5V组织 : 256M字× 64 位, 2 排名芯片组成 : J1108BFBG-DJ-F […]
EDO DRAM 具有用于更快数据 I/O 的临时存储空间. 当系统无法接收缓存支持时有效. 但是如果系统有缓存, EDO DRAM的影响很小. 生产厂家 : 现代电子工业公司, 公司. 建立年/周 : 1997/32 制造国 : 韩国 (韩国) 零件号 […]
