M368L6423DTM 为 32M 位 x 64 双倍数据速率(DDR) 分别基于第五代256Mb DDR SDRAM的SDRAM高密度内存模块. M368L6423DTM 由十六个 CMOS 32M x 8 位与 4banks 双倍数据速率 SDRAM 在 66pin TSOP-II(400密尔) 封装安装在 184pin 玻璃环氧树脂基板上. 四个 0.1uF 去耦电容是 […]
继续阅读
产品名称 : 三星DDR SDRAM 512MB PC3200 (非原装零件) 零件号 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC制造商 : 三星电子 (SEC) 制造国 : 韩国建造年/周 : 2003/33 数据容量 : 512MB 时钟速度 : 400兆赫 (PC3200) 特征 : 184销, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM 数据芯片组成 : [SEC K4H560838E，TCCC] ✕ 8 芯片数据 […]
威刚 Viesta DDR600 Viesta 内存, 在 DDR SDRAM 内存模块中, 三星TCCD内存芯片率先达到600Mhz时钟速度. A-data Viesta的数据容量为512MB或256MB. 它主要用于超频. 产品名称 A-DATA Vitesta DDR600 512MB 零件编号 MDOSSLF3H47A0B1G0Z 制造商 A-DATA 制造国家台湾制造年份 2004 特点 184pin Unbuffer […]
