產品名稱三星DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB內存 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 製造商三星電子生產國中國製造年/週 2010/38 數據容量2GB時鐘速度1333Mhz (PC3-10600) 配備240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生產過程技術40nm數據位x64內部模塊庫 8 數據芯片組成 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 籌碼 […]
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產品名稱 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1零件編號 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F製造商 : ELPIDA生產國 : 台灣建設年/週 : 2010/38 構成因素 : DDR3 SO-DIMM功能 : 204銷, 非ECC內存容量 : 2GB最大數據速率 : 1333Mbps電壓 : 1.5V組織 : 256M個字× 64 位, 2 排名芯片組成 : J1108BFBG-DJ-F […]
EDO DRAM具有臨時存儲空間，可實現更快的數據I / O. 當系統無法接收緩存支持時有效. 但是如果系統有緩存, EDO DRAM的影響很小. 生產廠家 : 現代電子工業有限公司, 有限公司. 建立年/週 : 1997/32 製造國 : 韓國 (南韓) 零件號 […]
這款SIMM鍍金色. 這個SIMM的電鍍顏色和電路板形式與GM71C4400A的SIMM不同. GM71C4400B是1M×4位. GM71C1000B為1M×4bit. 該SIMM的存儲容量和功能與GM71C4400A和GM71C1000的SIMM相同. 製造業 […]
Goldstar 是 Goldstar Electron Co. 的商標。, 有限公司. 更名為LG半導體 (LG半導體) 在 1995, 併入現代電子工業 (現在的海力士) 在 1999. 製造商 : Goldstar Electron 製造年份: 1993 製造國 : 韓國模塊特點 : 30銷, DRAM, SIMM, 奇偶校驗RAM […]
