三星電子在7月發布了使用30nm工藝技術的DDR3 SDRAM模塊 2010. 該RAM模塊由40nm工藝技術製成. 產品名稱Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 製造商三星電子 (美國證券交易委員會) 生產國中國製造年/週 2011/13 數據容量4GB時鐘速度1333Mhz (PC3-10600) 內存時序 […]
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生產廠家 : 現代電子工業有限公司, 有限公司. 建造年份 : 1994 製造國 : 韓國零件編號 : HYM532100AM-70 外形尺寸 : SIMM 內存類型 : EDO DRAM 內存容量 : 4MB 總線類型 : 快速頁面內存 (FPM) 糾錯 : 非奇偶校驗引腳 : 72針腳帶寬 : 32位延遲 : 70NS (RAC) 電壓 […]
產品名稱 : 三星SDRAM 32MB PC66零件號 : KMM366S403BTN-G0製造商 : 三星電子 (美國證券交易委員會) 製造國 : 韓國製作年/週 : 1997/33 數據容量 : 32MB時鐘速度 : 66兆赫 (PC66) 特徵 : 168銷, 非緩衝非ECC SDRAM DIMM數據芯片組成 : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 芯片VDD : 3.3V
產品名稱 : 三星 DDR SDRAM 512MB PC3200 (非正品零件) 零件號 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC製造商 : 三星電子 (美國證券交易委員會) 製造國 : 韓國製作年/週 : 2003/33 數據容量 : 512MB時鐘速度 : 400兆赫 (PC3200) 特徵 : 184銷, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM 數據芯片組成 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 芯片數據 […]
產品名稱 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0製造商 : EKmemory生產國 : 韓國數據容量 : 2GB時鐘速度 : 1333兆赫 (PC3-10600) 特徵 : 240銷, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM數據芯片組成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 芯片VDD電壓 : 1.5V首頁 : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id =德拉姆&否= 91
