產品名稱三星DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB內存 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 製造商三星電子生產國中國製造年/週 2010/38 數據容量2GB時鐘速度1333Mhz (PC3-10600) 配備240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生產過程技術40nm數據位x64內部模塊庫 8 數據芯片組成 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 籌碼 […]
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A-DATA Vitesta DDR600 Viesta內存, 在DDR SDRAM內存模塊中, 三星TCCD存儲芯片首次達到600Mhz的時鐘速度. A-data Viesta的數據容量為512MB或256MB. 它主要用於ovcrclocking. 產品名稱 A-DATA Vitesta DDR600 512MB 部件號 MDOSSLF3H47A0B1G0Z 製造商 A-DATA 製造國家台灣製造年份 2004 特點 184pin Unbuffer […]
KMM591000AN-7由兩塊KM44C1000AJ-7芯片和一塊KM44C1000CJ-7芯片組成. KMM591000BN-7由兩塊KM44C1000BJ-7芯片和一塊KM44C1000CJ-7芯片組成. 它們是三星電子生產的1MB DRAM SIMM。. 製造商 : 三星電子製造年份 : 1992 / 1993 製造國 : 韓國模塊特點 : 30銷, SIMM, 奇偶校驗 RAM 內存容量 […]
產品名稱 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1零件編號 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F製造商 : ELPIDA生產國 : 台灣建設年/週 : 2010/38 構成因素 : DDR3 SO-DIMM功能 : 204銷, 非ECC內存容量 : 2GB最大數據速率 : 1333Mbps電壓 : 1.5V組織 : 256M個字× 64 位, 2 排名芯片組成 : J1108BFBG-DJ-F […]
EDO DRAM具有臨時存儲空間，可實現更快的數據I / O. 當系統無法接收緩存支持時有效. 但是如果系統有緩存, EDO DRAM的影響很小. 生產廠家 : 現代電子工業有限公司, 有限公司. 建立年/週 : 1997/32 製造國 : 韓國 (南韓) 零件號 […]
