產品名稱三星DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) 零件編號M378A1K43CB2-CTD (C-的) 製造商三星電子生產國中國製造年/週 2018 / 28 DIMM類型UDIMM數據容量8GB數據速率 (最大帶寬) 2666.67 MT / s的 (21333.33 MB /秒) 內存時序 (CL – 的tRCD – 激進黨 – tRAS的 – TRC) 19-19-19-43-61 特色288pin, 非EXC緩衝 […]

產品名稱Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400零件編號M378T5663QZ3-CF7製造商Samsung Electronics生產國中國製造年/週 2009/04, 2010/07 內存模塊類型DIMM數據容量2GB時鐘速度800Mhz (PC2-6400) 內存時序CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6功能240針, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM數據位x64內部模塊組 8 行列 2 數據 […]

產品名稱三星8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 製造商三星電子生產國菲律賓製造年份/週 2014/08 數據容量8GB時鐘速度1600Mhz (PC3-12800) 內存時序CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11功能240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生產過程技術 20, 30, 40nm數據位x64內部模塊庫 8 行列 […]

M368L6423DTM為32M位x 64 雙倍數據速率(DDR) 分別基於第五代256Mb DDR SDRAM的SDRAM高密度存儲模塊. M368L6423DTM由16個CMOS 32M x 8 位，帶有66pin TSOP-II中的4bank雙數據速率SDRAM(400千) 封裝安裝在184pin玻璃環氧樹脂基材上. 四個0.1uF去耦電容器分別為 […]

三星電子在7月發布了使用30nm工藝技術的DDR3 SDRAM模塊 2010. 該RAM模塊由40nm工藝技術製成. 產品名稱Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 製造商三星電子 (美國證券交易委員會) 生產國中國製造年/週 2011/13 數據容量4GB時鐘速度1333Mhz (PC3-10600) 內存時序 […]