LG半導體16MB EDO-DRAM 72針SIMM (GM71C17400CJ6)

發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 江戶德拉姆 | 發表于 2022-07-12

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LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM正面

製造者 : LG半導體公司, 有限公司. 製造國 : 韓國部件號 : ? 外形尺寸 : 西姆特點 : 72針, 江戶德拉姆, 非奇偶校驗內存容量 : 16MB帶寬 : 32位速度 : 60納(特拉克) 電壓 : 5V芯片組成 : GM71C17400CJ6 × 8 芯片構建年/周 : 1998/27 單芯片容量 : 4M […]

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Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 江戶德拉姆 | 發表于 2013-03-15

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製造者 : Hyundai Electronics Industries Co., 有限公司. Build Year : 1994 製造國 : 韓國部件號 : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70納 (特拉克) 電壓 […]

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三星1MB DRAM 30pin SIMM

發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 原裝內存 | 發表于 2012-05-18

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三星1MB DRAM SIMM背面 (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7由兩個KM44C1000AJ-7芯片同一個KM44C1000CJ-7芯片組成. KMM591000BN-7由兩個KM44C1000BJ-7芯片同一個KM44C1000CJ-7芯片組成. 它們係三星電子生產嘅1MB DRAM SIMM. 製造公司 : 三星電子製造年份 : 1992 / 1993 製造國 : 韓國糢塊特點 : 30針, 西姆, 奇偶校驗RAM內存容量 […]

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現代16MB江戶德拉姆72針SIMM (讚美詩532414)

發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 江戶德拉姆 | 發表于 2011-08-04

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現代72針16MB德拉姆SIMM HY5117404B (正面)

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. 製造者 : Hyundai Electronics Industries Co., 有限公司. 建造年份/周 : 1997/32 製造國 : 韓國 (韓國) 部件號 […]

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