製造者 : LG半導體公司, 有限公司. 製造國 : 韓國部件號 : ? 外形尺寸 : 西姆特點 : 72針, 江戶德拉姆, 非奇偶校驗內存容量 : 16MB帶寬 : 32位速度 : 60納(特拉克) 電壓 : 5V芯片組成 : GM71C17400CJ6 × 8 芯片構建年/周 : 1998/27 單芯片容量 : 4M […]
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製造者 : 現代電子工業公司, 有限公司. 建造年份 : 1994 製造國 : 韓國部件號 : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : 快速頁面內存 (FPM) 糾錯 : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70納 (特拉克) 電壓 […]
KMM591000AN-7由兩個KM44C1000AJ-7芯片同一個KM44C1000CJ-7芯片組成. KMM591000BN-7由兩個KM44C1000BJ-7芯片同一個KM44C1000CJ-7芯片組成. 它們係三星電子生產嘅1MB DRAM SIMM. 製造公司 : 三星電子製造年份 : 1992 / 1993 製造國 : 韓國糢塊特點 : 30針, 西姆, 奇偶校驗RAM內存容量 […]
EDO DRAM具有臨時內存空間，可實現更快嘅數據I/O. 当系統無法接收高速緩存內存支持時，它有效. 但是，如果系統具有緩存, EDO DRAM嘅影響好细. 製造者 : 現代電子工業公司, 有限公司. 建造年份/周 : 1997/32 製造國 : 韓國 (韓國) 部件號 […]
