三星4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 DDR3內存 | 發表于 2015-03-02

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Samsung Electronics released DDR3 SDRAM modules using the 30nm process technology in July 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

產品名稱 Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
製造者 三星電子 (秒)
製造國 中國
建造年/周 2011/13
數據容量 4國標
時鐘速度 1333兆赫 (PC3-10600)
內存定時 CL=9, tRCD=9, tRP=9
特徵 204針, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
生產工藝技術 40納米
數據位 x64
內部糢塊組 8
行列 2
數據芯片組成 256M x 8 * 16 pcs
組件修訂 2Gb, C型模具
78 ball FBGA
高度 30毫米
VDD電壓 1.5V
工作案例溫度範圍 0°C ~ 85°C

評論 (3)

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Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

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