三星4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 DDR3內存 | 發表于 2015-03-02
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Samsung Electronics released DDR3 SDRAM modules using the 30nm process technology in July 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.
產品名稱 | Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
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製造者 | 三星電子 (秒) |
製造國 | 中國 |
建造年/周 | 2011/13 |
數據容量 | 4國標 |
時鐘速度 | 1333兆赫 (PC3-10600) |
內存定時 | CL=9, tRCD=9, tRP=9 |
特徵 | 204針, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM |
生產工藝技術 | 40納米 |
數據位 | x64 |
內部糢塊組 | 8 |
行列 | 2 |
數據芯片組成 | 256M x 8 * 16 pcs |
組件修訂 | 2Gb, C型模具 |
包 | 78 ball FBGA |
高度 | 30毫米 |
VDD電壓 | 1.5V |
工作案例溫度範圍 | 0°C ~ 85°C |
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Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)