三星512MB PC3200 DDR SDRAM內存 (CL3, 非正版內存)

發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 DDR SDRAM | 發表于 2013-03-13

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Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (非正版內存)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (非正版內存)

  • 產品名稱 : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (non-genuine parts)
  • 部件號 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • 製造者 : 三星電子 (秒)
  • 製造國 : 韓國
  • 建造年/周 : 2003/33
  • 數據容量 : 512兆字節
  • 時鐘速度 : 400兆赫 (PC3200)
  • 特徵 : 184針, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • 數據芯片組成 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 芯片
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • 電壓輸出, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

評論 (3)

Is this ddr 1???

Yes.

Thank you and good luck.

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