nhà chế tạo : Công ty LG Semicon, TNHH. Nước sản xuất : Hàn Quốc Part Number : ? Yếu tố hình thức : Tính năng SIMM : 72ghim, EDO DRAM, Dung lượng bộ nhớ không chẵn lẻ : 16Băng thông MB : 32tốc độ bit : 60ns(Trác) Vôn : 5Thành phần chip V : GM71C17400CJ6 × 8 Xây dựng chip Năm/Tuần : 1998/27 Một suất Chip : 4M […]

Tên sản phẩm Bộ nhớ EK 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Mã sản phẩm EKM256S74BP8-E6 Nhà sản xuất Bộ nhớ EK Quốc gia sản xuất Chip Đài Loan Năm xây dựng / tuần 2008/27 Loại mô-đun bộ nhớ DDR2 SO-DIMM 200 pin Dung lượng dữ liệu 2GB Tốc độ xung nhịp 667Mhz (PC2-5300) Thời gian bộ nhớ CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Tính năng Máy tính xách tay 200pin không có bộ đệm không ECC(Máy tính xách tay) Dữ liệu bộ nhớ bit x64 Thông tin chip dữ liệu EK20908A8A-3EG […]

Tên sản phẩm Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Nhà sản xuất Samsung Electronics Nước sản xuất Philippine Sản xuất năm / tuần 2014/08 Dung lượng dữ liệu 8GB Tốc độ xung nhịp 1600Mhz (PC3-12800) Thời gian bộ nhớ CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 Tính năng 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Công nghệ quy trình sản xuất 20, 30, 40nm Các bit dữ liệu x64 Ngân hàng mô-đun bên trong 8 cấp bậc […]

M368L6423DTM là 32M bit x 64 Tốc độ dữ liệu gấp đôi(DDR) Mô-đun bộ nhớ mật độ cao SDRAM dựa trên nguồn cấp thứ năm của 256Mb DDR SDRAM tương ứng. M368L6423DTM bao gồm mười sáu CMOS 32M x 8 bit với 4banks Tốc độ dữ liệu kép SDRAM trong 66pin TSOP-II(400nghìn) gói được gắn trên nền thủy tinh-epoxy 184pin. Bốn tụ điện tách 0,1uF là […]

Samsung Electronics phát hành module SDRAM DDR3 sử dụng công nghệ xử lý 30nm vào tháng 2010. mô-đun bộ nhớ RAM này đã được thực hiện bởi các công nghệ xử lý 40nm. Tên sản phẩm Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Nhà sản xuất Samsung Electronics (SEC) Nước sản xuất Trung Quốc Xây dựng năm / tuần 2011/13 Dung lượng dữ liệu 4GB Tốc độ xung nhịp 1333Mhz (PC3-10600) Thời gian bộ nhớ […]