Samsung 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 MGts (1Rx8, Xitoy)

Muallif: DeviceLog.com | Joylashtirilgan DDR3 SDRAM | E'lon qilingan 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Mahsulot nomi Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB xotira (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Ishlab chiqaruvchi Samsung Electronics Ishlab chiqaruvchi mamlakat Xitoy Qurilish yili/hafta 2010/38 Ma'lumot sig'imi 2 GB Soat tezligi 1333 MGts (PC3-10600) 240pin xususiyatlari, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Ishlab chiqarish jarayoni texnologiyasi 40nm Data bits x64 Ichki modul banklari 8 Ma'lumotlar chipining tarkibi [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chiplar […]

O'qishni davom ettiring

UMC Sync kesh moduli 256KB (Quvur liniyasi keshi, COASt)

Muallif: DeviceLog.com | Joylashtirilgan SRAM | E'lon qilingan 2013-01-05

2

UMC Sync kesh moduli 256KB Frontside (Quvur liniyasi keshi)

Ko'p asosiy platalar, erta pentium protsessorini qo'llab-quvvatladi, odatda CPU L2 keshi sifatida sinxronlash kesh xotira chiplariga ega edi. Ushbu sinxronlash kesh moduli(COASt; Stikdagi kesh) qo'shimcha CPU L2 keshi sifatida ishlatiladigan tashqi xotira moduli. Protsessor ko'rsatmalar yoki ma'lumotlarni kutayotganda protsessorning ishlashini maksimal darajada oshiradi. Ishlash uchun L2 keshi ishlatiladi […]

O'qishni davom ettiring

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Muallif: DeviceLog.com | Joylashtirilgan DDR SDRAM | E'lon qilingan 2012-10-25

0

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta xotirasi, DDR SDRAM xotira modullarida, birinchi navbatda Samsung TCCD xotira chiplari bilan 600 MGts soat tezligiga erishdi. A-data Viesta ma'lumotlar sig'imi 512 MB yoki 256 MB edi. U asosan ovcrclocking uchun ishlatilgan.   Mahsulot nomi A-DATA Vitesta DDR600 512MB Qism raqami MDOSSLF3H47A0B1G0Z Ishlab chiqaruvchi A-DATA Ishlab chiqaruvchi mamlakat Tayvan Ishlab chiqarilgan yili 2004 184pin unbuffer xususiyatlari […]

O'qishni davom ettiring

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Muallif: DeviceLog.com | Joylashtirilgan Asl DRAM | E'lon qilingan 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM orqa tomoni (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 ikkita KM44C1000AJ-7 chipi va bitta KM44C1000CJ-7 chipidan iborat.. KMM591000BN-7 ikkita KM44C1000BJ-7 chipi va bitta KM44C1000CJ-7 chipidan iborat.. Ular Samsung Electronics tomonidan ishlab chiqarilgan 1MB DRAM SIMMlardir. Ishlab chiqarish kompaniyasi : Samsung Electronics ishlab chiqarilgan yili : 1992 / 1993 Ishlab chiqarilgan mamlakat : Janubiy Koreya moduli xususiyatlari : 30pin, SIMM, Paritet RAM xotira sig'imi […]

O'qishni davom ettiring

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Muallif: DeviceLog.com | Joylashtirilgan DDR3 SDRAM | E'lon qilingan 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 old tomoni

Mahsulot nomi : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 qism raqami : EBJ21UE8BFU0-DJ-F ishlab chiqaruvchisi : ELPIDA Ishlab chiqaruvchi mamlakat : Tayvan qurilish yili/haftasi : 2010/38 Form faktor : DDR3 SO-DIMM xususiyatlari : 204pin, ECC bo'lmagan xotira sig'imi : 2GB maksimal ma'lumot tezligi : 1333Mbit / s kuchlanish : 1.5V Tashkilot : 256M so'z × 64 bitlar, 2 Chip tarkibi bo'yicha o'rinlarni egallaydi : J1108BFBG-DJ-F […]

O'qishni davom ettiring