Назва продукту : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Номер деталі : KMM366S203CTL-G0 Виробник : Samsung Electronics Co., ТОВ. (SEC) Країна виробництва : Південна Корея Будівництво рік/тиждень : 1998/09 Ємність даних : 16MB Тактова частота : 66МГц (ПК66) риси : 168 шпилька, Небуферизований Non-ECC SDRAM DIMM Склад мікросхеми даних : [KM48S2020CT-G10] × 8 фішки (2М […]

Назва продукту : LG SDRAM 16MB PC66 Номер деталі : GMM2642233BLTG-10K 7101S Виробник : LG Semicon Co., ТОВ. Країна виробництва : Південна Корея Будівництво рік/тиждень : 1997/03 Ємність даних : 16MB Тактова частота : 66МГц (ПК66) риси : 168шпилька, Небуферизований Non-ECC SDRAM DIMM Склад мікросхеми даних : [GM72V16821BT10K] × 8 фішки (2M × 64 біт) один […]

Назва продукту Пам'ять EK 2 ГБ DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Номер частини EKM256S74BP8-E6 Виробник Пам'ять EK Країна виробник Тайвань Рік/тиждень виготовлення мікросхеми 2008/27 Тип модуля пам'яті DDR2 SO-DIMM 200 pin Ємність даних 2 ГБ Тактова частота 667 МГц (PC2-5300) Хронометраж пам'яті CL=5, tRCD=5, tRP = 5 Характеристики 200-контактний небуферизований ноутбук без ECC(ноутбук) Біти даних пам’яті x64 Інформація про чіп даних EK20908A8A-3EG […]

Найменування продукту Samsung DDR4 SDRAM 16 ГБ 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) Номер за каталогом M378A2K43CB1-CTD (C-the) Виробник Samsung Electronics Країна виробник Китай Рік побудови / тиждень 2019 / 06 Тип DIMM UDIMM Ємність даних 16 Гб Швидкість передачі даних (Макс. Пропускна здатність) 2666.67 MT / с (21333.33 Мб / с) Час пам’яті (CL – tRCD – тРП – після – tRC) 19-19-19-43-61 Особливості 288пін, Дебуфер без EXC […]

Назва продукту Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Номер за каталогом M378A1K43CB2-CTD (C-the) Виробник Samsung Electronics Країна виробник Китай Рік побудови / тиждень 2018 / 28 Тип DIMM UDIMM Ємність даних 8 Гб Швидкість передачі даних (Макс. Пропускна здатність) 2666.67 MT / с (21333.33 Мб / с) Час пам’яті (CL – tRCD – тРП – після – tRC) 19-19-19-43-61 Особливості 288пін, Дебуфер без EXC […]