виробник : Hyundai Electronics Industries Co., ТОВ. Рік побудови : 1994 Країна виробництва : Номер деталі Південної Кореї : Форм-фактор HYM532100AM-70 : Тип пам'яті SIMM : Ємність пам'яті EDO DRAM : 4Тип шини MB : Швидка пам'ять сторінок (FPM) Виправлення помилок : Піни без паритету : 72pin Пропускна здатність : 32затримка бітів : 70нс (tRAC) Напруга […]

Назва продукту : EKmemory DDR3 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Виробник : EKmemory Країна виробник : Ємність даних Південної Кореї : 2GB Тактова частота : 1333МГц (PC3-10600) риси : 240шпилька, Розблоковуйте склад мікросхеми даних без ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 мікросхеми напруга VDD : 1.5V Домашня сторінка : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = драма&ні = 91

KMM591000AN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000AJ-7 і одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000BJ-7 та одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. Це 1 МБ DRAM-SIMM, вироблені компанією Samsung Electronics. Виробнича компанія : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Країна виробництва : South Korea Module Features : 30шпилька, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM має тимчасовий простір в пам'яті для швидшого введення-виведення даних. Він ефективний, коли система не може отримати підтримку кеш-пам'яті. Але якщо в системі є кеш-пам'ять, ефект EDO DRAM незначний. виробник : Hyundai Electronics Industries Co., ТОВ. Рік побудови / Тиждень : 1997/32 Країна виробництва : Корея (Південна Корея) Номер частини […]

Ця оперативна пам’ять - це 30-контактний 1 Мб SIMM виробництва Hyundai Electronics(Гінікс нині). 30-PIN-коди PIN-кодів використовувались повсюдно з 80286 до 80486. Якщо кількість фішок непарна кількість, один із фішок виконує перевірку парності. Ця ОЗП складається з двох HY514400A(1М х 4 біт) і один HY531000A(1М х 1 біт). The memory capacity of […]