виробник : LG Semicon Co., ТОВ. Країна виробництва : Номер деталі Південної Кореї : ? фактор форми : Особливості SIMM : 72шпилька, EDO DRAM, Ємність пам'яті без паритету : 16Пропускна здатність МБ : 32бітова швидкість : 60нс(tRAC) Напруга : 5V Склад мікросхем : GM71C17400CJ6 × 8 Створення мікросхеми рік/тиждень : 1998/27 Ємність однієї мікросхеми : 4М […]

виробник : Hyundai Electronics Industries Co., ТОВ. Рік побудови : 1994 Країна виробництва : Номер деталі Південної Кореї : Форм-фактор HYM532100AM-70 : Тип пам'яті SIMM : Ємність пам'яті EDO DRAM : 4Тип шини MB : Швидка пам'ять сторінок (FPM) Виправлення помилок : Піни без паритету : 72pin Пропускна здатність : 32затримка бітів : 70нс (tRAC) Напруга […]

KMM591000AN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000AJ-7 і одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000BJ-7 та одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. Це 1 МБ DRAM-SIMM, вироблені компанією Samsung Electronics. Виробнича компанія : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Країна виробництва : South Korea Module Features : 30шпилька, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM має тимчасовий простір в пам'яті для швидшого введення-виведення даних. Він ефективний, коли система не може отримати підтримку кеш-пам'яті. Але якщо в системі є кеш-пам'ять, ефект EDO DRAM незначний. виробник : Hyundai Electronics Industries Co., ТОВ. Рік побудови / Тиждень : 1997/32 Країна виробництва : Корея (Південна Корея) Номер частини […]