Назва продукту Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 ГБ пам'яті (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Виробник Samsung Electronics Країна виробник Китай Побудова рік / тиждень 2010/38 Ємність даних 2 ГБ Тактова частота 1333 МГц (PC3-10600) Особливості 240pin, Розблокування не-ECC DDR3 SDRAM DIMM Технологія виробничого процесу 40 нм Біти даних x64 Банки внутрішнього модуля 8 Склад даних чіпа [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 фішки […]

Багато материнських плат, підтримується ранній процесор Pentium, зазвичай мали мікросхеми кеш-пам'яті синхронізації як кеш-пам'ять CPU L2. Цей модуль кешу синхронізації(Узбережжя; Кеш на паличці) це зовнішній модуль пам'яті, який використовується як додатковий кеш-пам'ять CPU L2. Це максимізує продуктивність процесора, поки процесор очікує інструкцій або даних. Для роботи використовується кеш L2 […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, in DDR SDRAM memory modules, firstly achieved 600Mhz clock speed with Samsung TCCD memory chips. The data capacity of A-data Viesta was 512MB or 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000AJ-7 і одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000BJ-7 та одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. Це 1 МБ DRAM-SIMM, вироблені компанією Samsung Electronics. Виробнича компанія : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Країна виробництва : South Korea Module Features : 30шпилька, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Назва продукту : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 фактор форми : DDR3 SO-DIMM Features : 204шпилька, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M × слова 64 біти, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]