Üretici firma : LG Semicon Co., Ltd. Üretildiği ülke : Güney Kore Parça Numarası : ? Form faktörü : SIMM Özellikleri : 72toplu iğne, EDO DRAM, Eşliksiz Bellek Kapasitesi : 16MB Bant Genişliği : 32bit Hız : 60ns(Trac) Voltaj : 5V Çip Kompozisyonu : GM71C17400CJ6 × 8 Çip Oluşturma Yılı/Haftası : 1998/27 Bir Çip Kapasitesi : 4M […]

Ürün Adı EK Bellek 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Parça Numarası EKM256S74BP8-E6 Üretici EK Bellek Üretildiği Ülke Tayvan Yonga Oluşturma Yılı / Hafta 2008/27 Bellek Modülü Tipi DDR2 SO-DIMM 200 pin Veri Kapasitesi 2GB Saat Hızı 667Mhz (PC2-5300) Bellek Zamanlaması CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Özellikler 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(Dizüstü bilgisayar) Bellek Veri Bitleri x64 Veri Çip bilgisi EK20908A8A-3EG […]

Ürün adı Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0 CK0'da) Üretici Samsung Electronics Üretici ülke Filipin Yapım yılı / hafta 2014/08 Veri Kapasitesi 8GB Saat hızı 1600Mhz (PC3-12800) Bellek Zamanlaması CL = 11, t RCD = 11, tRP = 11 Özellikler 240pin, Tamponlayıcı ECC Dışı DDR3 SDRAM DIMM Üretim proses teknolojisi 20, 30, 40nm Veri bitleri x64 Dahili Modül kümeleri 8 Rütbeler […]

M368L6423DTM, 32M bit x'tir 64 çift ​​veri hızı(DDR) Sırasıyla 256 Mb DDR SDRAM'ın beşinci neslini temel alan SDRAM yüksek yoğunluklu bellek modülü. M368L6423DTM, on altı CMOS 32M x 8 66pin TSOP-II'de 4 bankalı Çift Veri Hızlı SDRAM'lı bit(400bin) 184pin cam epoksi substrat üzerine monte edilmiş paketler. Dört adet 0.1uF dekuplaj kondansatörü […]

Samsung Electronics, Temmuz ayında 30nm işlem teknolojisini kullanarak DDR3 SDRAM modüllerini piyasaya sürdü 2010. Bu RAM modülü 40nm işlem teknolojisi ile üretildi. Ürün adı Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Üretici Firma Samsung Electronics (SEC) Üretici ülke Çin İnşa yılı / haftası 2011/13 Veri Kapasitesi 4GB Saat hızı 1333Mhz (PC3-10600) Bellek Zamanlaması […]