Üretici firma : LG Semicon Co., Ltd. Üretildiği ülke : Güney Kore Parça Numarası : ? Form faktörü : SIMM Özellikleri : 72toplu iğne, EDO DRAM, Eşliksiz Bellek Kapasitesi : 16MB Bant Genişliği : 32bit Hız : 60ns(Trac) Voltaj : 5V Çip Kompozisyonu : GM71C17400CJ6 × 8 Çip Oluşturma Yılı/Haftası : 1998/27 Bir Çip Kapasitesi : 4M […]

Üretici firma : Hyundai Elektronik Sanayii A.Ş., Ltd. Yapım Yılı : 1994 Üretildiği ülke : Güney Kore Parça Numarası : HYM532100AM-70 Form Faktörü : SIMM Bellek türü : EDO DRAM Bellek Kapasitesi : 4MB Veriyolu türü : Hızlı Sayfa Belleği (FPM) Hata düzeltme : Eşliksiz Pinler : 72pin Bant Genişliği : 32bit Gecikme : 70ns (Trac) Voltaj […]

KMM591000AN-7, iki KM44C1000AJ-7 yongası ve bir KM44C1000CJ-7 yongasından oluşur. KMM591000BN-7, iki KM44C1000BJ-7 yongası ve bir KM44C1000CJ-7 yongasından oluşur. Samsung Electronics tarafından üretilen 1MB DRAM SIMM'lerdir. Üretici firma : Samsung Electronics Üretim Yılı : 1992 / 1993 Üretildiği ülke : Güney Kore Modül Özellikleri : 30toplu iğne, SIMM, Eşlik RAM Bellek Kapasitesi […]

EDO DRAM, daha hızlı veri G / Ç için geçici bellek alanına sahiptir. Sistem önbellek desteği alamadığında etkilidir. Ancak sistemin önbelleği varsa, EDO DRAM'in etkisi çok az. Üretici firma : Hyundai Elektronik Sanayii A.Ş., Ltd. Yıl / Hafta kurmak : 1997/32 Üretildiği ülke : Kore (Güney Kore) Parça Numarası […]