Ürün adı Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Bellek (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Üretici Samsung Electronics Üretici ülke Çin Yapım yılı / hafta 2010/38 Veri Kapasitesi 2GB Saat hızı 1333Mhz (PC3-10600) Özellikler 240pin, Tamponlama ECC olmayan DDR3 SDRAM DIMM Üretim proses teknolojisi 40nm Veri bitleri x64 Dahili Modül bankaları 8 Veri yongası bileşimi [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 cips […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta Bellek, DDR SDRAM bellek modüllerinde, İlk olarak Samsung TCCD bellek yongaları ile 600Mhz saat hızına ulaşıldı. A-data Viesta'nın veri kapasitesi 512MB veya 256MB idi. Çoğunlukla hız aşırtma için kullanıldı.   Ürün Adı A-DATA Vitesta DDR600 512MB Parça Numarası MDOSSLF3H47A0B1G0Z Üretici A-DATA Üretildiği ülke Tayvan Yapım Yılı 2004 184pin Tampon Çözme Özelliği […]

KMM591000AN-7, iki KM44C1000AJ-7 yongası ve bir KM44C1000CJ-7 yongasından oluşur. KMM591000BN-7, iki KM44C1000BJ-7 yongası ve bir KM44C1000CJ-7 yongasından oluşur. Samsung Electronics tarafından üretilen 1MB DRAM SIMM'lerdir. Üretici firma : Samsung Electronics Üretim Yılı : 1992 / 1993 Üretildiği ülke : Güney Kore Modül Özellikleri : 30toplu iğne, SIMM, Eşlik RAM Bellek Kapasitesi […]

Ürün adı : ELPIDA 2 GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Parça Numarası : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Üretici : ELPIDA Üretici ülke : Tayvan Yapım Yılı / Hafta : 2010/38 Form faktörü : DDR3 SO-DIMM Özellikleri : 204toplu iğne, ECC Olmayan Bellek Kapasitesi : 2GB Maksimum Veri Hızı : 1333Mbps Gerilim : 1.5V Organizasyonu : 256M kelime × 64 bit, 2 Sıraları Çip Kompozisyonu : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM, daha hızlı veri G / Ç için geçici bellek alanına sahiptir. Sistem önbellek desteği alamadığında etkilidir. Ancak sistemin önbelleği varsa, EDO DRAM'in etkisi çok az. Üretici firma : Hyundai Elektronik Sanayii A.Ş., Ltd. Yıl / Hafta kurmak : 1997/32 Üretildiği ülke : Kore (Güney Kore) Parça Numarası […]