Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, China)

Nai-post ni DeviceLog.com | Nai-post sa DDR3 SDRAM | Nai-post sa 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Pangalan ng produkto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Bansa ng paggawa China Build taon/linggo 2010/38 Kapasidad ng Data 2GB Bilis ng orasan 1333Mhz (PC3-10600) Nagtatampok ng 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Teknolohiya sa proseso ng produksyon 40nm Data bits x64 Internal Module na mga bangko 8 Komposisyon ng chip ng data [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]

Ipagpatuloy ang pagbabasa

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Nai-post ni DeviceLog.com | Nai-post sa DDR SDRAM | Nai-post sa 2012-10-25

0

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, in DDR SDRAM memory modules, firstly achieved 600Mhz clock speed with Samsung TCCD memory chips. The data capacity of A-data Viesta was 512MB or 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Ipagpatuloy ang pagbabasa

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Nai-post ni DeviceLog.com | Nai-post sa Orihinal na DRAM | Nai-post sa 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM sa likuran (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Ang KMM591000AN-7 ay binubuo ng dalawang KM44C1000AJ-7 chips at isang KM44C1000CJ-7 chip. Ang KMM591000BN-7 ay binubuo ng dalawang KM44C1000BJ-7 chips at isang KM44C1000CJ-7 chip. Ang mga ito ay 1MB DRAM SIMM na ginawa ng Samsung Electronics. Kumpanya ng Paggawa : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Bansa ng pagawaan : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Ipagpatuloy ang pagbabasa

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Nai-post ni DeviceLog.com | Nai-post sa DDR3 SDRAM | Nai-post sa 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

pangalan ng Produkto : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M salitang × 64 mga piraso, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Ipagpatuloy ang pagbabasa

Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Nai-post ni DeviceLog.com | Nai-post sa EDO DRAM | Nai-post sa 2011-08-04

1

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Frontside)

Ang EDO DRAM ay may pansamantalang memory space para sa mas mabilis na data I/O. Ito ay epektibo kapag ang system ay hindi makatanggap ng cache memory support. Ngunit kung ang system ay may cache memory, maliit lang ang epekto ng EDO DRAM. Tagagawa : Ang Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Buuin ang Taon / Linggo : 1997/32 Bansa ng pagawaan : Korea (Timog Korea) Bahagi ng Bahagi […]

Ipagpatuloy ang pagbabasa