ชื่อผลิตภัณฑ์ หน่วยความจำ EK 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 หมายเลขชิ้นส่วน EKM256S74BP8-E6 ผู้ผลิต หน่วยความจำ EK ประเทศที่ผลิต ผลิตชิปไต้หวัน ปี/สัปดาห์ 2008/27 ประเภทโมดูลหน่วยความจำ DDR2 SO-DIMM 200 พิน ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 667Mhz (PC2-5300) เวลาหน่วยความจำ CL=5, tRCD=5, tRP = 5 คุณสมบัติ 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(แล็ปท็อป) Memory Data Bits x64 ข้อมูลชิปข้อมูล EK20908A8A-3EG […]

ชื่อสินค้าซัมซุง DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) หมายเลขชิ้นส่วน M378A2K43CB1-CTD (C-) ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2019 / 06 ประเภท DIMM UDIMM ข้อมูลความจุ 16GB อัตราข้อมูล (แม็กซ์แบนด์วิดธ์) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Timing หน่วยความจำ (CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 คุณสมบัติ 288pin, unbuffered ECC […]

ชื่อสินค้าซัมซุง DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) หมายเลขชิ้นส่วน M378A1K43CB2-CTD (C-) ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2018 / 28 ประเภท DIMM UDIMM ข้อมูลความจุ 8GB อัตราข้อมูล (แม็กซ์แบนด์วิดธ์) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Timing หน่วยความจำ (CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 คุณสมบัติ 288pin, unbuffered ECC […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง DDR SDRAM 512MB PC3200 (อะไหล่ที่ไม่ใช่ของแท้) ส่วนจำนวน : ผู้ผลิต PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 2003/33 ความจุข้อมูล : 512ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 400เมกะเฮิรตซ์ (PC3200) คุณสมบัติ : 184หมุด, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM ส่วนประกอบชิปข้อมูล : [ก.ล.ต. K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ชิปข้อมูล […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 หน่วยความจำ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-ch9, M378B5273DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตเกาหลีใต้สร้างปี / สัปดาห์ 2011/31 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Memory Timing CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM บิตข้อมูล x64 ลึก / บิตองค์กร 512M / x8 โมดูลภายใน […]