ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี : 1994 ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : HYM532100AM-70 ฟอร์มแฟกเตอร์ : SIMM ประเภทหน่วยความจำ : ความจุหน่วยความจำ EDO DRAM : 4MB ประเภทบัส : หน่วยความจำหน้าเร็ว (FPM) แก้ไขข้อผิดพลาด : พินที่ไม่เท่าเทียมกัน : 72พินแบนด์วิดท์ : 32บิตแฝง : 70NS (Trac) แรงดันไฟฟ้า […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 ผู้ผลิต : EKmemory ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ความจุข้อมูล : 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา : 1333เมกะเฮิรตซ์ (PC3-10600) คุณสมบัติ : 240หมุด, ส่วนประกอบชิปข้อมูล Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ชิปแรงดัน VDD : 1.5V โฮมเพจ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&ไม่มี = 91

KMM591000AN-7 ประกอบด้วยสองชิป KM44C1000AJ-7 และหนึ่งชิป KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 ประกอบด้วยสองชิป KM44C1000BJ-7 และหนึ่ง KM44C1000CJ-7 ชิป. เป็น DRAM SIMM 1MB ที่ผลิตโดย Samsung Electronics. บริษัท ผู้ผลิต : ปีที่ผลิต Samsung Electronics : 1992 / 1993 ประเทศที่ผลิต : คุณสมบัติของโมดูลเกาหลีใต้ : 30หมุด, SIMM, ความจุหน่วยความจำ RAM ของพาริตี้ […]

EDO DRAM มีพื้นที่หน่วยความจำชั่วคราวสำหรับข้อมูล I/O . ที่เร็วขึ้น. จะมีผลเมื่อระบบไม่สามารถรองรับหน่วยความจำแคชได้. แต่ถ้าระบบมีหน่วยความจำแคช, EDO DRAM มีผลเพียงเล็กน้อย. ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี / สัปดาห์ : 1997/32 ประเทศที่ผลิต : เกาหลี (เกาหลีใต้) ส่วนจำนวน […]

RAM นี้เป็น SIMM ขนาด 1 เมกะไบต์ 30 พินที่ผลิตโดยอุตสาหกรรม Hyundai Electronics(ตอนนี้ Hynix). 30-PIN SIMMs ถูกใช้อย่างกว้างขวางจาก 80286 ถึง 80486. หากจำนวนชิปเป็นเลขคี่, หนึ่งในชิปทำการตรวจสอบความเท่าเทียมกัน. RAM นี้ประกอบด้วยสอง HY514400A(1M x 4 บิต) และหนึ่ง HY531000A(1M x 1 บิต). ความจุหน่วยความจำของ […]