ผู้ผลิต : บริษัท แอลจี เซมิคอน, จำกัด. ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : ? ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ SIMM : 72หมุด, EDO DRAM, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่พาริตี : 16แบนด์วิธ MB : 32ความเร็วบิต : 60NS(Trac) แรงดันไฟฟ้า : 5องค์ประกอบของชิป V : GM71C17400CJ6 × 8 สร้างชิปปี/สัปดาห์ : 1998/27 ความจุหนึ่งชิป : 4ม […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ หน่วยความจำ EK 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 หมายเลขชิ้นส่วน EKM256S74BP8-E6 ผู้ผลิต หน่วยความจำ EK ประเทศที่ผลิต ผลิตชิปไต้หวัน ปี/สัปดาห์ 2008/27 ประเภทโมดูลหน่วยความจำ DDR2 SO-DIMM 200 พิน ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 667Mhz (PC2-5300) เวลาหน่วยความจำ CL=5, tRCD=5, tRP = 5 คุณสมบัติ 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(แล็ปท็อป) Memory Data Bits x64 ข้อมูลชิปข้อมูล EK20908A8A-3EG […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต Philippine Build ปี / สัปดาห์ 2014/08 ความจุข้อมูล 8GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1600Mhz (PC3-12800) Memory Timing CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 20, 30, 40nm Data bits x64 Internal Modules Banks 8 อันดับ […]

M368L6423DTM คือ 32M บิต x 64 อัตราข้อมูลสองครั้ง(DDR) โมดูลหน่วยความจำความหนาแน่นสูง SDRAM ตามการกำเนิดที่ห้าของ 256Mb DDR SDRAM ตามลำดับ. M368L6423DTM ประกอบด้วย CMOS 16M x สิบหกชุด 8 bit กับ SDRAMs อัตราการส่งข้อมูลคู่ 4 ใน 66pin TSOP-II(400หนึ่งพัน) แพคเกจติดตั้งบนพื้นผิวแก้วอีพ็อกซี่ 184pin. ตัวเก็บประจุแยกส่วน 0.1uF สี่ตัวคือ […]

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์การปล่อยตัว DDR3 SDRAM โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี 30 นาโนเมตรกระบวนการในเดือนกรกฎาคม 2010. โมดูล RAM นี้ถูกสร้างขึ้นโดยเทคโนโลยีการผลิต 40nm. ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-ch9) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตในประเทศจีนสร้างปี / สัปดาห์ 2011/13 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Timing หน่วยความจำ […]