ชื่อผลิตภัณฑ์ : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : ผู้ผลิต KMM366S203CTL-G0 : บริษัท ซัมซุง อิเล็คทรอนิคส์, จำกัด. (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1998/09 ความจุข้อมูล : 16ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168 หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [KM48S2020CT-G10] × 8 เงิน (2ม […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : LG SDRAM 16MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : GMM2642233BLTG-10K 7101S ผู้ผลิต : บริษัท แอลจี เซมิคอน, จำกัด. ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1997/03 ความจุข้อมูล : 16ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [GM72V16821BT10K] × 8 เงิน (2M × 64 บิต) หนึ่ง […]

ชื่อสินค้าซัมซุง DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) หมายเลขชิ้นส่วน M378A2K43CB1-CTD (C-) ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2019 / 06 ประเภท DIMM UDIMM ข้อมูลความจุ 16GB อัตราข้อมูล (แม็กซ์แบนด์วิดธ์) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Timing หน่วยความจำ (CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 คุณสมบัติ 288pin, unbuffered ECC […]

ชื่อสินค้าซัมซุง DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) หมายเลขชิ้นส่วน M378A1K43CB2-CTD (C-) ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2018 / 28 ประเภท DIMM UDIMM ข้อมูลความจุ 8GB อัตราข้อมูล (แม็กซ์แบนด์วิดธ์) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Timing หน่วยความจำ (CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 คุณสมบัติ 288pin, unbuffered ECC […]

ชื่อสินค้าซัมซุง DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 หมายเลขชิ้นส่วน M378T5663QZ3-CF7 ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2009/04, 2010/07 โมดูลหน่วยความจำประเภท DIMM ข้อมูลความจุ 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 800Mhz (PC2-6400) หน่วยความจำระยะเวลา CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM ข้อมูล Bits x64 ภายในโมดูลธนาคาร 8 อันดับ 2 ข้อมูล […]