ชื่อผลิตภัณฑ์ : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : ผู้ผลิต KMM366S203CTL-G0 : บริษัท ซัมซุง อิเล็คทรอนิคส์, จำกัด. (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1998/09 ความจุข้อมูล : 16ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168 หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [KM48S2020CT-G10] × 8 เงิน (2ม […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : LG SDRAM 16MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : GMM2642233BLTG-10K 7101S ผู้ผลิต : บริษัท แอลจี เซมิคอน, จำกัด. ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1997/03 ความจุข้อมูล : 16ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [GM72V16821BT10K] × 8 เงิน (2M × 64 บิต) หนึ่ง […]

ผู้ผลิต : บริษัท แอลจี เซมิคอน, จำกัด. ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : ? ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ SIMM : 72หมุด, EDO DRAM, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่พาริตี : 16แบนด์วิธ MB : 32ความเร็วบิต : 60NS(Trac) แรงดันไฟฟ้า : 5องค์ประกอบของชิป V : GM71C17400CJ6 × 8 สร้างชิปปี/สัปดาห์ : 1998/27 ความจุหนึ่งชิป : 4ม […]

EDO DRAM มีพื้นที่หน่วยความจำชั่วคราวสำหรับข้อมูล I/O . ที่เร็วขึ้น. จะมีผลเมื่อระบบไม่สามารถรองรับหน่วยความจำแคชได้. แต่ถ้าระบบมีหน่วยความจำแคช, EDO DRAM มีผลเพียงเล็กน้อย. ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี / สัปดาห์ : 1997/32 ประเทศที่ผลิต : เกาหลี (เกาหลีใต้) ส่วนจำนวน […]