Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (ฟีนิกซ์คอนโทรลเลอร์)

Samsung PM981 เป็นผลิตภัณฑ์ OEM ที่ได้มาจากซัมซุง 970 อีโว.

ไดรฟ์นี้มี V-NAND 64 เลเยอร์ใหม่ของ Samsung และตัวควบคุมประสิทธิภาพสูงที่ส่งมอบได้สูงสุดถึง 3,000 MB/s ของทรูพุตการอ่านตามลำดับและ 270,000 IOPS อ่านแบบสุ่ม.

ตัวควบคุมหน่วยความจำ Samsung Polaris V2 ถูกใช้ในเวอร์ชันแรกๆ, แต่ตัวควบคุมหน่วยความจำ ARM Phoenix ถูกใช้ในเวอร์ชันที่ใหม่กว่า.

ได้รับความนิยมมาระยะหนึ่งแล้วเนื่องจากความคุ้มค่าคุ้มราคา.

ชื่อผลิตภัณฑ์	Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
ส่วนจำนวน	MZVLB256HAHQ-00000
รุ่น	MZ-VLB2560
ปีที่ประกาศขาย	2017
ผู้ผลิต	ซัมซุง
ประเทศผู้ผลิต	ประเทศจีน
• VCCMการจำแนกประเภทผลิตภัณฑ์	SSD ภายใน (โซลิดสเตตไดรฟ์)
ฟอร์มแฟกเตอร์	ม.2 (2280)
อินเตอร์เฟซ	PCIe 3.0 (x4) (32GT / s)
อินเทอร์เฟซตัวควบคุมโฮสต์	เอ็นวีมี 1.2
ความหายนะ	256GB
ไบต์ต่อเซกเตอร์	512ไบต์
ประเภทหน่วยความจำ	หน่วยความจำแฟลช NAND, ทีแอลซี
โครงสร้าง NAND	ซัมซุง V-NAND V4 (TLC 3D NAND, 64-ชั้น)
DRAM	○
การแคช SLC	○
ประสิทธิภาพ	– อ่านตามลำดับ : 3000MB / s – การเขียนตามลำดับ : 1800MB / s – IOPS สำหรับการอ่าน : แม็กซ์. 270เค – IOPS สำหรับการเขียน : แม็กซ์. 420เค
ตัวควบคุมหน่วยความจำ	อาร์ม ฟีนิกซ์ (S4LR020 S821HNQD 1842 อาร์ม ฟีนิกซ์)
ชุดระบายความร้อน NVMe	ไม่รวม
อูเบอร์	< 1 ภาคต่อ 10 15 บิตอ่าน
MTBF	1.5 ล้านชั่วโมง
อุณหภูมิ	ปฏิบัติการ : 0°ซี~ 70°ค ไม่ได้ใช้งาน : -40° C ~ 85 ° C
ความชื้น (ไม่กลั่นตัว)	ไม่ได้ใช้งาน : 5 ~ 95%
ช็อตเชิงเส้น	ไม่ได้ใช้งาน (0.5ms ระยะเวลาด้วย 1/2 คลื่นไซน์) : 1,500 จีพีค
การสั่นสะเทือน	ไม่ได้ใช้งาน (20 ~ 2,000 Hz, ไซนูซอยด์) : 20 จีพีค
แรงดันไฟฟ้ากระเพื่อม/เสียงรบกวน (สูงสุด)	100เอ็มวี พี-พี
การใช้พลังงาน	– อ่าน (ประเภท, RMS) : 5.9W – เขียน (ประเภท, RMS) : 5.7W – ว่าง (ประเภท) : 30เมกะวัตต์ – L1.2 (ประเภท) : 5เมกะวัตต์
ความกว้าง	22.00 ± 0.15 มิลลิเมตร
ความยาว	80.00 ± 0.15 มิลลิเมตร
ความสูง	แม็กซ์. 2.38 มิลลิเมตร
น้ำหนัก	แม็กซ์. 9.0ก.