ฮุนได 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)
โพสโดย DeviceLog.com | โพสต์ใน EDO DRAM | โพสต์ 2013-03-15
0
- ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด.
- สร้างปี : 1994
- ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้
- ส่วนจำนวน : HYM532100AM-70
- ฟอร์มแฟกเตอร์ : SIMM
- ประเภทหน่วยความจำ : EDO DRAM
- ความจุหน่วยความจำ : 4MB
- Bus type : หน่วยความจำหน้าเร็ว (FPM)
- แก้ไขข้อผิดพลาด : Non-parity
- Pins : 72หมุด
- แบนด์วิดธ์ : 32นิดหน่อย
- ความแอบแฝง : 70NS (Trac)
- แรงดันไฟฟ้า : 5V
- องค์ประกอบชิป : [HY514400A J-70] × 8
- ความจุหนึ่งชิป : 1M x 4 บิต