ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี : 1994 ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : HYM532100AM-70 ฟอร์มแฟกเตอร์ : SIMM ประเภทหน่วยความจำ : ความจุหน่วยความจำ EDO DRAM : 4MB ประเภทบัส : หน่วยความจำหน้าเร็ว (FPM) แก้ไขข้อผิดพลาด : พินที่ไม่เท่าเทียมกัน : 72พินแบนด์วิดท์ : 32บิตแฝง : 70NS (Trac) แรงดันไฟฟ้า […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : Samsung SDRAM 32MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : KMM366S403BTN-G0 ผู้ผลิต : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1997/33 ความจุข้อมูล : 32ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 ชิป VDD : 3.3V

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง DDR SDRAM 512MB PC3200 (อะไหล่ที่ไม่ใช่ของแท้) ส่วนจำนวน : ผู้ผลิต PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 2003/33 ความจุข้อมูล : 512ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 400เมกะเฮิรตซ์ (PC3200) คุณสมบัติ : 184หมุด, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM ส่วนประกอบชิปข้อมูล : [ก.ล.ต. K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ชิปข้อมูล […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 ผู้ผลิต : EKmemory ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ความจุข้อมูล : 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา : 1333เมกะเฮิรตซ์ (PC3-10600) คุณสมบัติ : 240หมุด, ส่วนประกอบชิปข้อมูล Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ชิปแรงดัน VDD : 1.5V โฮมเพจ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&ไม่มี = 91

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 หน่วยความจำ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-ch9, M378B5273DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตเกาหลีใต้สร้างปี / สัปดาห์ 2011/31 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Memory Timing CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM บิตข้อมูล x64 ลึก / บิตองค์กร 512M / x8 โมดูลภายใน […]