ผู้ผลิต : บริษัท แอลจี เซมิคอน, จำกัด. ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : ? ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ SIMM : 72หมุด, EDO DRAM, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่พาริตี : 16แบนด์วิธ MB : 32ความเร็วบิต : 60NS(Trac) แรงดันไฟฟ้า : 5องค์ประกอบของชิป V : GM71C17400CJ6 × 8 สร้างชิปปี/สัปดาห์ : 1998/27 ความจุหนึ่งชิป : 4ม […]

ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี : 1994 ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : HYM532100AM-70 ฟอร์มแฟกเตอร์ : SIMM ประเภทหน่วยความจำ : ความจุหน่วยความจำ EDO DRAM : 4MB ประเภทบัส : หน่วยความจำหน้าเร็ว (FPM) แก้ไขข้อผิดพลาด : พินที่ไม่เท่าเทียมกัน : 72พินแบนด์วิดท์ : 32บิตแฝง : 70NS (Trac) แรงดันไฟฟ้า […]

EDO DRAM มีพื้นที่หน่วยความจำชั่วคราวสำหรับข้อมูล I/O . ที่เร็วขึ้น. จะมีผลเมื่อระบบไม่สามารถรองรับหน่วยความจำแคชได้. แต่ถ้าระบบมีหน่วยความจำแคช, EDO DRAM มีผลเพียงเล็กน้อย. ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี / สัปดาห์ : 1997/32 ประเทศที่ผลิต : เกาหลี (เกาหลีใต้) ส่วนจำนวน […]