Samsung స్పిన్‌పాయింట్ F2EG HD154UI 1.5TB

పోస్ట్ చేసారు DeviceLog.com | లో పోస్ట్ చేయబడింది HDD | పోస్ట్ చేయబడింది 2015-03-04

0

Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

పోస్ట్ చేసారు DeviceLog.com | లో పోస్ట్ చేయబడింది DDR SDRAM | పోస్ట్ చేయబడింది 2015-03-03

0

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

M368L6423DTM 32M బిట్ x 64 డబుల్ డేటా రేట్(DDR) వరుసగా 256Mb DDR SDRAM యొక్క ఐదవ తరం ఆధారంగా SDRAM అధిక సాంద్రత కలిగిన మెమరీ మాడ్యూల్. M368L6423DTM పదహారు CMOS 32M xని కలిగి ఉంటుంది 8 66పిన్ TSOP-IIలో 4బ్యాంక్‌ల డబుల్ డేటా రేట్ SDRAMలతో బిట్(400మిల్) ప్యాకేజీలు 184పిన్ గ్లాస్-ఎపాక్సీ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై అమర్చబడి ఉంటాయి. Four 0.1uF decoupling capacitors are […]

చదవడం కొనసాగించు

Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

పోస్ట్ చేసారు DeviceLog.com | లో పోస్ట్ చేయబడింది DDR3 SDRAM | పోస్ట్ చేయబడింది 2015-03-02

3

Samsung Electronics జూలైలో 30nm ప్రాసెస్ టెక్నాలజీని ఉపయోగించి DDR3 SDRAM మాడ్యూల్స్‌ను విడుదల చేసింది 2010. ఈ RAM మాడ్యూల్ 40nm ప్రాసెస్ టెక్నాలజీ ద్వారా తయారు చేయబడింది. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Manufacturer Samsung Electronics (SEC) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 Data Capacity 4GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) మెమరీ టైమింగ్ […]

చదవడం కొనసాగించు

హ్యుందాయ్ 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

పోస్ట్ చేసారు DeviceLog.com | లో పోస్ట్ చేయబడింది EDO DRAM | పోస్ట్ చేయబడింది 2013-03-15

0

తయారీదారు : హ్యుందాయ్ ఎలక్ట్రానిక్స్ ఇండస్ట్రీస్ కో., Ltd. బిల్డ్ ఇయర్ : 1994 తయారీ దేశం : South Korea Part Number : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : ఫాస్ట్ పేజీ మెమరీ (FPM) లోపం దిద్దుబాటు : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70NS (tRAC) వోల్టేజ్ […]

చదవడం కొనసాగించు

Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0)

పోస్ట్ చేసారు DeviceLog.com | లో పోస్ట్ చేయబడింది SDRAM | పోస్ట్ చేయబడింది 2013-03-14

1

ఉత్పత్తి నామం : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : శామ్సంగ్ ఎలక్ట్రానిక్స్ (SEC) తయారీ దేశం : దక్షిణ కొరియా బిల్డ్ సంవత్సరం/వారం : 1997/33 డేటా కెపాసిటీ : 32MB క్లాక్ వేగం : 66Mhz (PC66) లక్షణాలు : 168పిన్, బఫర్ చేయని నాన్-ECC SDRAM DIMM డేటా చిప్ కూర్పు : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chips VDD : 3.3వి

చదవడం కొనసాగించు