ఉత్పత్తి పేరు Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB మెమరీ (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) తయారీదారు Samsung Electronics తయారీ దేశం చైనా బిల్డ్ సంవత్సరం/వారం 2010/38 డేటా కెపాసిటీ 2GB క్లాక్ స్పీడ్ 1333Mhz (PC3-10600) 240పిన్ ఫీచర్లు, అన్‌బఫర్ నాన్-ECC DDR3 SDRAM DIMM ప్రొడక్షన్ ప్రాసెస్ టెక్నాలజీ 40nm డేటా బిట్స్ x64 ఇంటర్నల్ మాడ్యూల్ బ్యాంక్‌లు 8 డేటా చిప్ కూర్పు [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 చిప్స్ […]

A-DATA Viesta DDR600 వియస్టా మెమరీ, DDR SDRAM మెమరీ మాడ్యూల్స్‌లో, ముందుగా Samsung TCCD మెమరీ చిప్‌లతో 600Mhz క్లాక్ స్పీడ్‌ని సాధించింది. A-డేటా వియస్టా యొక్క డేటా సామర్థ్యం 512MB లేదా 256MB. ఇది ఎక్కువగా ovcrclocking కోసం ఉపయోగించబడింది.   ఉత్పత్తి పేరు A-DATA Vitesta DDR600 512MB పార్ట్ నంబర్ MDOSSLF3H47A0B1G0Z తయారీదారు A-DATA తయారీ దేశం తైవాన్ బిల్డ్ ఇయర్ 2004 184పిన్ అన్‌బఫర్ ఫీచర్‌లు […]

KMM591000AN-7 రెండు KM44C1000AJ-7 చిప్‌లు మరియు ఒక KM44C1000CJ-7 చిప్ కంపోజ్ చేయబడింది. KMM591000BN-7 రెండు KM44C1000BJ-7 చిప్‌లు మరియు ఒక KM44C1000CJ-7 చిప్‌తో కంపోజ్ చేయబడింది. అవి Samsung Electronics ద్వారా ఉత్పత్తి చేయబడిన 1MB DRAM SIMMలు. తయారీ సంస్థ : శామ్సంగ్ ఎలక్ట్రానిక్స్ తయారు చేసిన సంవత్సరం : 1992 / 1993 తయారీ దేశం : దక్షిణ కొరియా మాడ్యూల్ ఫీచర్లు : 30పిన్, SIMM, పారిటీ RAM మెమరీ కెపాసిటీ […]

ఉత్పత్తి నామం : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 పార్ట్ నంబర్ : EBJ21UE8BFU0-DJ-F తయారీదారు : ELPIDA తయారీ దేశం : తైవాన్ బిల్డ్ ఇయర్/వీక్ : 2010/38 ఫారమ్ ఫ్యాక్టర్ : DDR3 SO-DIMM ఫీచర్లు : 204పిన్, నాన్-ECC మెమరీ కెపాసిటీ : 2GB గరిష్ట డేటా రేటు : 1333Mbps వోల్టేజ్ : 1.5V సంస్థ : 256M పదాలు × 64 బిట్స్, 2 చిప్ కంపోజిషన్‌ను ర్యాంక్ చేస్తుంది : J1108BFBG-DJ-F […]

వేగవంతమైన డేటా I/O కోసం EDO DRAM తాత్కాలిక మెమరీ స్థలాన్ని కలిగి ఉంది. సిస్టమ్ కాష్ మెమరీ మద్దతును పొందలేనప్పుడు ఇది ప్రభావవంతంగా ఉంటుంది. కానీ సిస్టమ్ కాష్ మెమరీని కలిగి ఉంటే, EDO DRAM ప్రభావం తక్కువగా ఉంటుంది. తయారీదారు : హ్యుందాయ్ ఎలక్ట్రానిక్స్ ఇండస్ట్రీస్ కో., Ltd. బిల్డ్ సంవత్సరం/వారం : 1997/32 తయారీ దేశం : కొరియా (దక్షిణ కొరియా) పార్ట్ నంబర్ […]