prodhues : LG Semicon Co., Ltd. Vendi i prodhimit : South Korea Part Number : ? Faktor formë : SIMM Features : 72gjilpere, DRAM EDO, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60ns(tRAC) Tensioni : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build Year/Week : 1998/27 Kapaciteti i një çipi : 4M […]

prodhues : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Year : 1994 Vendi i prodhimit : South Korea Part Number : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (tRAC) Tensioni […]

KMM591000AN-7 përbëhet nga dy çipa KM44C1000AJ-7 dhe një çip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 është i përbërë me dy çipa KM44C1000BJ-7 dhe një çip KM44C1000CJ-7. Ato janë 1MB DRAM SIMM të prodhuara nga Samsung Electronics. Kompania Prodhuese : Viti i prodhimit të Samsung Electronics : 1992 / 1993 Vendi i prodhimit : Karakteristikat e modulit të Koresë së Jugut : 30gjilpere, SIMM, Kapaciteti i memories RAM me barazi […]

EDO DRAM ka hapësirë ​​të përkohshme memorie për hyrje/dalje më të shpejtë të të dhënave. Është efektiv kur sistemi nuk mund të marrë mbështetje për memorien e memories. Por nëse sistemi ka memorie cache, efekti i EDO DRAM është i vogël. prodhues : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ndërtoni vit / javë : 1997/32 Vendi i prodhimit : Korea (Korea e jugut) Numri i pjesës […]