Samsung 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, Kinë)

Postuar nga DeviceLog.com | Postuar ne DDR3 SDRAM | Postuar ne 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Përbërja e çipave të të dhënave [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 patate të skuqura […]

Vazhdo te lexosh

Moduli i Memorizimit të Sinkronizimit UMC 256KB (Bateria e Bllokimit të Gazsjellësit, COASt)

Postuar nga DeviceLog.com | Postuar ne SRAM | Postuar ne 2013-01-05

2

Moduli i memorizimit të memorizuar UMC Sync 256KB Frontside (Bateria e Bllokimit të Gazsjellësit)

Shumë tabela kryesore, mbështetur CPU të hershme të pentiumit, zakonisht kishin patate të skuqura memorie cache të sinkronizimit si cache CPU L2. Ky modul memorie sinkronizimi(COASt; Cache në një shkop) është modul i memorjes së jashtme i përdorur si memorie shtesë e CPU L2. Maksimizon perfomancën e procesorit ndërsa procesori pret udhëzime ose të dhëna. Cache L2 përdoret për të operuar […]

Vazhdo te lexosh

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Postuar nga DeviceLog.com | Postuar ne DDR SDRAM | Postuar ne 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta Memory, në modulet e memories DDR SDRAM, së pari arriti shpejtësinë e orës 600 Mhz me çipat e memories Samsung TCCD. Kapaciteti i të dhënave të A-data Viesta ishte 512MB ose 256MB. Më së shumti përdorej për okclocking.   Emri i produktit A-DATA Vitesta DDR600 512MB Numri i pjesës MDOSSLF3H47A0B1G0Z Prodhuesi A-DATA Shteti i prodhimit Tajvan Viti i ndërtimit 2004 Përmban Unbuffer 184 pin […]

Vazhdo te lexosh

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Postuar nga DeviceLog.com | Postuar ne DRAM origjinal | Postuar ne 2012-05-18

1

Pjesa e pasme e telefonit Samsung 1MB DRAM SIMM (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 përbëhet nga dy çipa KM44C1000AJ-7 dhe një çip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 është i përbërë me dy çipa KM44C1000BJ-7 dhe një çip KM44C1000CJ-7. Ato janë 1MB DRAM SIMM të prodhuara nga Samsung Electronics. Kompania Prodhuese : Viti i prodhimit të Samsung Electronics : 1992 / 1993 Vendi i prodhimit : Karakteristikat e modulit të Koresë së Jugut : 30gjilpere, SIMM, Kapaciteti i memories RAM me barazi […]

Vazhdo te lexosh

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Postuar nga DeviceLog.com | Postuar ne DDR3 SDRAM | Postuar ne 2012-03-09

6

Frontside ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1

Emri i produktit : Numri i pjesës ELPIDA 2 GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Prodhuesi : ELPIDA Vendi i prodhimit : Viti/javë e ndërtimit në Tajvan : 2010/38 Faktor formë : Karakteristikat e DDR3 SO-DIMM : 204gjilpere, Kapaciteti i memories jo-ECC : 2Norma maksimale e të dhënave GB : 1333Tension Mbps : 1.5V Organizimi : 256M fjalë × 64 copa, 2 rendit Përbërja Chip : J1108BFBG-DJ-F […]

Vazhdo te lexosh