Ime izdelka Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB pomnilnika (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-ch9 M378B5263DH1) Proizvajalec Samsung Electronics Država izdelave Kitajske Postava leto / teden 2010/38 Podatki Kapaciteta 2 GB takt 1333MHz (PC3-10600) Lastnosti 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Proizvodni proces tehnologija 40nm Data bits x64 Notranji Modul bank 8 Podatki sestava čip [SID HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 čipi […]

ime izdelka : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M besede × 64 bitov, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ima začasni pomnilniški prostor za hitrejši V/I podatkov. Učinkovit je, ko sistem ne more prejeti podpore za predpomnilnik. Če pa ima sistem predpomnilnik, učinek EDO DRAM je majhen. Proizvajalec : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Leto / teden : 1997/32 Država izdelave : Koreja (Južna Koreja) številka dela […]

Ta SIMM prevlečen z zlato barvo. Barva obloge in oblika plošče tega SIMM se razlikuje od SIMM z GM71C4400A. GM71C4400B je 1M × 4bit. In GM71C1000B je 1M × 4bit. Zmogljivost pomnilnika in funkcija tega SIMM se ne razlikujeta od SIMM z GM71C4400A in GM71C1000. Proizvodnja […]

Goldstar je blagovna znamka podjetja Goldstar Electron Co., Ltd. Svoje ime je spremenil v LG Semiconductor (LG Semicon) ob 1995, in je bil združen v Hyundai Electronics industrijo (Hynix zdaj) ob 1999. Proizvodno podjetje : Goldstar Electron Leto izdelave: 1993 Država izdelave : Lastnosti modula Južne Koreje : 30pin, DRAM, SIMM, Paritetni RAM […]