Proizvajalec : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Leto gradnje : 1994 Država izdelave : Številka dela Južne Koreje : Faktor oblike HYM532100AM-70 : Vrsta pomnilnika SIMM : Kapaciteta pomnilnika EDO DRAM : 4Vrsta vodila MB : Hitri pomnilnik strani (FPM) Popravek napak : Non-parity Pins : 72pin Pasovna širina : 32bitna zakasnitev : 70ns (tRAC) Napetost […]

Ime izdelka : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Proizvajalec : EKmemory Država izdelave : Južna Koreja podatkov Kapaciteta : 2SLO Ura hitrost : 1333Mhz (PC3-10600) Lastnosti : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM podatkov sestava čip : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 čipi VDD napetost : 1.5V Spletna stran : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&no = 91

KMM591000AN-7 je sestavljen iz dveh čipov KM44C1000AJ-7 in enega čipa KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 je sestavljen iz dveh čipov KM44C1000BJ-7 in enega čipa KM44C1000CJ-7. Gre za 1MB DRAM SIMM, ki ga proizvaja Samsung Electronics. Proizvodno podjetje : Leto izdelave Samsung Electronics : 1992 / 1993 Država izdelave : Lastnosti modula Južne Koreje : 30pin, SIMM, Paritetna zmogljivost pomnilnika RAM […]

EDO DRAM ima začasni pomnilniški prostor za hitrejši V/I podatkov. Učinkovit je, ko sistem ne more prejeti podpore za predpomnilnik. Če pa ima sistem predpomnilnik, učinek EDO DRAM je majhen. Proizvajalec : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Leto / teden : 1997/32 Država izdelave : Koreja (Južna Koreja) številka dela […]

Ta RAM je 30-pinski 1MB SIMM, ki ga proizvaja Hyundai Electronics industrija(Hynix zdaj). 30-pin SIMM so bili univerzalno uporabljeni iz 80286 do 80486. Če je število žetonov liho število, eden od čipov opravi preverjanje parnosti. Ta RAM je sestavljen iz dveh HY514400A(1M x 4 bit) in en HY531000A(1M x 1 bit). Zmogljivost pomnilnika […]