Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Avtor DeviceLog.com | Objavljeno v EDO DRAM | Objavljeno na 2011-08-04

1

EDO DRAM ima začasni pomnilniški prostor za hitrejši V/I podatkov. Učinkovit je, ko sistem ne more prejeti podpore za predpomnilnik. Če pa ima sistem predpomnilnik, učinek EDO DRAM je majhen.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • Proizvajalec : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Build Leto / teden : 1997/32
  • Država izdelave : Koreja (Južna Koreja)
  • številka dela : HYM532414 BM-60
  • Form Factor : SIMM
  • Lastnosti : 72pin, EDO DRAM, Neparitetna
  • Kapaciteta pomnilnika : 16MB
  • Pasovna širina : 32bit
  • Hitrost : 60ns(tRAC)
  • Napetost : 5V
  • Chip Sestava : HY5117404B(J-60) × 8
  • Kapaciteta enega čipa : 4M x 4 bit

Podobni objav:

LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) Hyundai 30-pin 1 MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM Samsung 1MB DRAM SIMM backside (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) (prednja stran)Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (prednja stran)Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) EKmemory 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM EK pomnilnik 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK pomnilnik 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LG Semicon 16 MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
oznake:, , , , , , , , , , , , , ,

Komentarji (1)

carlos je dejal na 2022-02-19

težko ga je bilo najti

Odgovori

Napišite komentar