Ime izdelka Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB pomnilnika (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-ch9 M378B5263DH1) Proizvajalec Samsung Electronics Država izdelave Kitajske Postava leto / teden 2010/38 Podatki Kapaciteta 2 GB takt 1333MHz (PC3-10600) Lastnosti 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Proizvodni proces tehnologija 40nm Data bits x64 Notranji Modul bank 8 Podatki sestava čip [SID HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 čipi […]

Veliko matičnih plošč, podprt zgodnji procesor Pentium, običajno so imeli pomnilniške čipe sinhronizacijskega predpomnilnika kot predpomnilnik CPE L2. Ta sinhronizacijski modul predpomnilnika(OBALA St; Predpomnilnik na palici) je zunanji pomnilniški modul, ki se uporablja kot dodatni predpomnilnik CPE L2. Poveča zmogljivost procesorja, medtem ko procesor čaka na navodila ali podatke. Za delovanje se uporablja predpomnilnik L2 […]

Pomnilnik A-DATA Viesta DDR600 Viesta, v pomnilniških modulih DDR SDRAM, prvič dosegel takt 600 Mhz s pomnilniškimi čipi Samsung TCCD. Podatkovna zmogljivost A-data Viesta je bila 512 MB ali 256 MB. Večinoma se je uporabljal za ovcrclocking.   Ime izdelka A-DATA Vitesta DDR600 512MB Številka dela MDOSSLF3H47A0B1G0Z Proizvajalec A-DATA Država proizvodnje Tajvan Leto izdelave 2004 Vsebuje 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 je sestavljen iz dveh čipov KM44C1000AJ-7 in enega čipa KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 je sestavljen iz dveh čipov KM44C1000BJ-7 in enega čipa KM44C1000CJ-7. Gre za 1MB DRAM SIMM, ki ga proizvaja Samsung Electronics. Proizvodno podjetje : Leto izdelave Samsung Electronics : 1992 / 1993 Država izdelave : Lastnosti modula Južne Koreje : 30pin, SIMM, Paritetna zmogljivost pomnilnika RAM […]

ime izdelka : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M besede × 64 bitov, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]