Výrobca : Spoločnosť LG Semicon Co., ltd. Krajina výroby : Číslo dielu Južná Kórea : ? Form Factor : Funkcie SIMM : 72kolík, EDO DRAM, Neparitná kapacita pamäte : 16Šírka pásma MB : 32bitová rýchlosť : 60ns(TRAC) Napätie : 5Zloženie čipu V : GM71C17400CJ6 × 8 Rok/týždeň výroby čipu : 1998/27 Jedna Capacity Chip : 4M […]

Výrobca : Hyundai Electronics Industries Co., ltd. build Rok : 1994 Krajina výroby : Číslo dielu Južná Kórea : Tvarový faktor HYM532100AM-70 : Typ pamäte SIMM : Kapacita pamäte EDO DRAM : 4Typ zbernice MB : Fast Page Memory (FPM) korekcia chýb : Neparitné kolíky : 72pin Šírka pásma : 32bitová latencia : 70ns (TRAC) Napätie […]

KMM591000AN-7 sa skladá z dvoch čipov KM44C1000AJ-7 a jedného čipu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 sa skladá z dvoch čipov KM44C1000BJ-7 a jedného čipu KM44C1000CJ-7. Sú to 1 MB DRAM SIMM vyrobené spoločnosťou Samsung Electronics. Výrobná spoločnosť : Rok výroby Samsung Electronics : 1992 / 1993 Krajina výroby : Funkcie modulu Južná Kórea : 30kolík, SIMM, Paritná kapacita pamäte RAM […]

EDO DRAM má dočasnú pamäť pre rýchlejší dát I / O. Je účinný, keď systém nemôže prijímať vyrovnávacej pamäte podporu. Ale v prípade, že systém má vyrovnávacej pamäte, účinok EDO DRAM je málo. Výrobca : Hyundai Electronics Industries Co., ltd. Rok výroby / týždeň : 1997/32 Krajina výroby : Kórea (Južná Kórea) Číslo dielu […]