Наименование товара : Samsung 16 МБ SDRAM 16 МБ PC66 Артикул : KMM366S203CTL-G0 Производитель : Самсунг Электроникс Ко., Ltd. (SEC) Страна выпуска : Южная Корея Год постройки / неделю : 1998/09 объем данных : 16Скорость MB часы : 66Mhz (PC66) Особенности : 168 штырь, Небуферизованный состав чипа без ECC SDRAM DIMM данных : [KM48S2020CT-G10] × 8 чипсы (2M […]

Наименование товара : LG SDRAM 16 МБ PC66 Артикул : GMM2642233BLTG-10K 7101S Производитель : LG Семикон Ко., Ltd. Страна выпуска : Южная Корея Год постройки / неделю : 1997/03 объем данных : 16Скорость MB часы : 66Mhz (PC66) Особенности : 168штырь, Небуферизованный состав чипа без ECC SDRAM DIMM данных : [ГМ72В16821БТ10К] × 8 чипсы (2М × 64 бит) Один […]

Название продукта Память EK 2 ГБ DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Номер детали EKM256S74BP8-E6 Производитель Память EK Страна производства Тайвань Год сборки микросхемы / неделя 2008/27 Тип модуля памяти DDR2 SO-DIMM 200 Контактный объем данных 2 ГБ Тактовая частота 667 МГц (PC2-5300) Синхронизация памяти CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Особенности 200-контактного небуферизованного ноутбука без ECC(Ноутбук) Биты данных памяти x64 Информация о микросхеме данных EK20908A8A-3EG […]

Имя продукта Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) Номер детали M378A2K43CB1-CTD (С-) Производитель Samsung Electronics Страна Производство Китай Год постройки / Недели 2019 / 06 Тип DIMM Емкость UDIMM данных 16GB Скорость передачи данных (Max Bandwidth) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Сроки памяти (CL – Trcd – ГТО – très – TRC) 19-19-19-43-61 Особенности 288pin, Unbuffered ECC […]

Имя продукта Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Номер детали M378A1K43CB2-CTD (С-) Производитель Samsung Electronics Страна Производство Китай Год постройки / Недели 2018 / 28 Тип DIMM Емкость UDIMM данных 8GB Скорость передачи данных (Max Bandwidth) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) Сроки памяти (CL – Trcd – ГТО – très – TRC) 19-19-19-43-61 Особенности 288pin, Unbuffered ECC […]