Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в EDO DRAM | опубликовано 2013-03-15
0
- производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
- Год постройки : 1994
- Страна выпуска : Южная Корея
- номер части : HYM532100AM-70
- Фактор формы : SIMM
- Тип памяти : EDO DRAM
- Объем памяти : 4мегабайт
- Тип автобуса : Fast Memory Page (FPM)
- Исправление ошибки : Без контроля четности
- Pins : 72штырь
- Пропускная способность : 32немного
- Задержка : 70нс (Trac)
- напряжение : 5V
- Чип Состав : [HY514400A J-70] × 8
- One Chip Емкость : 1М х 4bit