Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)
Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в EDO DRAM | опубликовано 2011-08-04
1
EDO DRAM имеет временное пространство памяти для более быстрых данных ввода / вывода. Она эффективна, когда система не может получить кэш поддержки памяти. Но если система имеет кэш-память, эффект EDO DRAM мало.
- производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
- Год постройки / Неделя : 1997/32
- Страна выпуска : Корея (Южная Корея)
- номер части : HYM532414 БМ-60
- Фактор формы : SIMM
- Особенности : 72штырь, EDO DRAM, Non-Parity
- Объем памяти : 16мегабайт
- Пропускная способность : 32немного
- скорость : 60нс(Trac)
- напряжение : 5V
- Чип Состав : HY5117404B(J-60) × 8
- One Chip Емкость : 4М х 4bit
Карлос