Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в DDR3 SDRAM | опубликовано 2015-03-02

3

Samsung Electronics выпустила модули SDRAM DDR3 с использованием техпроцесса 30нм в июле 2010. Этот модуль RAM была сделана техпроцесс 40нм.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB фронтсайда Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Наименование товара Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
производитель Samsung Electronics (SEC)
Страна выпуска Китай
Год постройки / неделю 2011/13
объем данных 4гигабайт
Тактовая частота 1333Mhz (PC3-10600)
Сроки памяти CL = 9, Trcd = 9, Trp = 9
Особенности 204штырь, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Технологический процесс производства 40нм
биты данных x64
банки Внутренний модуль 8
Звания 2
Состав данных чипа 256Мх 8 * 16 штук
Компонент пересмотра 2гигабайт, С-
пакет 78 мяч FBGA
Высота 30мм
напряжение VDD 1.5V
Рабочая температура корпуса Диапазон 0° С ~ 85 ° С

Комментарии (3)

Я хотел бы купить эту память.

всем привет,

Как я могу заказать один из этого?

Спасибо!

Я планировал купить один из этого модуля

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

Написать комментарий