Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1rx8, Китай)

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в DDR3 SDRAM | опубликовано 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2 ГБ 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Название продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB памяти (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Производитель Samsung Electronics Страна производства Китай Год постройки / неделю 2010/38 Объем данных 2GB Часы скорость 1333Mhz (PC3-10600) Особенности 240pin, Технологический процесс Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM производства 40нм Биты данных банков Внутренний модуль 64 8 Состав данных чипа [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипсы […]

Продолжить чтение

УМС синхронизация кэш Модуль 256Кб (Трубопроводный Выброс Cache, Побережье)

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в SRAM | опубликовано 2013-01-05

2

УМС синхронизации кэша Модуль 256Кб Frontside (Трубопроводный Выброс Cache)

Многие материнские платы, поддерживается рано Пентиум CPU, обычно имели чипы синхронизации кэш-памяти в качестве кэша процессора L2. Эта синхронизация кэш-модуль(Побережье; Кэш на палочке) это внешний модуль памяти, используемой в качестве дополнительного процессорного кэша L2. Это максимизирует Perfomance процессора, когда процессор ожидает команд или данных. L2 кеш используется для работы […]

Продолжить чтение

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800)

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в DDR SDRAM | опубликовано 2012-10-25

0

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta памяти, в модулях памяти DDR SDRAM, во-первых, достигается 600Mhz тактовая частота микросхемы памяти Samsung TCCD. Емкость данных А-данных Viesta было 512 или 256 Мб. Он в основном используется для ovcrclocking.   Наименование A-DATA Vitesta DDR600 512MB Номер детали MDOSSLF3H47A0B1G0Z Производитель A-DATA Страна производства Тайвань Год постройки 2004 Особенности 184pin Unbuffer […]

Продолжить чтение

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в Оригинальный DRAM | опубликовано 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM задница (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 состоит две KM44C1000AJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чип. KMM591000BN-7 состоит с двумя KM44C1000BJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чипа. Они 1MB DRAM модули SIMM, производимые компанией Samsung Electronics. Производственная компания : Samsung Electronics Произведенный год : 1992 / 1993 Страна выпуска : Модуль Южная Корея Особенности : 30штырь, SIMM, Четность Емкость Память RAM […]

Продолжить чтение

Elpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в DDR3 SDRAM | опубликовано 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

наименование товара : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Производитель : ELPIDA Страна производства : Тайвань Год постройки / Неделя : 2010/38 Фактор формы : DDR3 SO-DIMM Особенности : 204штырь, Емкость Non-ECC памяти : 2GB Максимальная скорость передачи данных : 1333Mbps Напряжение : 1.5V Организация : 256M × слова 64 биты, 2 занимает чип Состав : J1108BFBG-DJ-F […]

Продолжить чтение