Название продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB памяти (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Производитель Samsung Electronics Страна производства Китай Год постройки / неделю 2010/38 Объем данных 2GB Часы скорость 1333Mhz (PC3-10600) Особенности 240pin, Технологический процесс Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM производства 40нм Биты данных банков Внутренний модуль 64 8 Состав данных чипа [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипсы […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta памяти, в модулях памяти DDR SDRAM, во-первых, достигается 600Mhz тактовая частота микросхемы памяти Samsung TCCD. Емкость данных А-данных Viesta было 512 или 256 Мб. Он в основном используется для ovcrclocking.   Наименование A-DATA Vitesta DDR600 512MB Номер детали MDOSSLF3H47A0B1G0Z Производитель A-DATA Страна производства Тайвань Год постройки 2004 Особенности 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 состоит две KM44C1000AJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чип. KMM591000BN-7 состоит с двумя KM44C1000BJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чипа. Они 1MB DRAM модули SIMM, производимые компанией Samsung Electronics. Производственная компания : Samsung Electronics Произведенный год : 1992 / 1993 Страна выпуска : Модуль Южная Корея Особенности : 30штырь, SIMM, Четность Емкость Память RAM […]

наименование товара : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Производитель : ELPIDA Страна производства : Тайвань Год постройки / Неделя : 2010/38 Фактор формы : DDR3 SO-DIMM Особенности : 204штырь, Емкость Non-ECC памяти : 2GB Максимальная скорость передачи данных : 1333Mbps Напряжение : 1.5V Организация : 256M × слова 64 биты, 2 занимает чип Состав : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM имеет временное пространство памяти для более быстрых данных ввода / вывода. Она эффективна, когда система не может получить кэш поддержки памяти. Но если система имеет кэш-память, эффект EDO DRAM мало. производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Год постройки / Неделя : 1997/32 Страна выпуска : Корея (Южная Корея) номер части […]