Producător : LG Semicon Co., Ltd. Tara de fabricatie : Numărul părții din Coreea de Sud : ? Form Factor : Caracteristici SIMM : 72bolț, EDO DRAM, Capacitate de memorie non-paritate : 16MB lățime de bandă : 32Bit Speed : 60ns(TRAC) Voltaj : 5Compoziția cipului V : GM71C17400CJ6 × 8 Anul/Săptămâna construcției cipului : 1998/27 Capacitate de un cip : 4M […]

Producător : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Anul construcției : 1994 Tara de fabricatie : Numărul părții din Coreea de Sud : HYM532100AM-70 Factor de formă : SIMM Tipul de memorie : EDO DRAM Capacitate de memorie : 4MB tip de autobuz : Memorie rapidă de pagină (FPM) Corectarea erorii : Pinii fără paritate : 72lățime de bandă : 32putin latenta : 70ns (TRAC) Voltaj […]

KMM591000AN-7 este compus din două cipuri KM44C1000AJ-7 și un cip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 este compus cu două cipuri KM44C1000BJ-7 și un cip KM44C1000CJ-7. Sunt SIMM-uri DRAM de 1MB produse de Samsung Electronics. Companie de producție : Anul fabricat de Samsung Electronics : 1992 / 1993 Tara de fabricatie : Caracteristicile modulului Coreea de Sud : 30bolț, SIMM, Paritate RAM Capacitate memorie […]

EDO DRAM dispune de spațiu de memorie temporară pentru I / O de date mai rapide. Este eficient atunci când sistemul nu poate primi suport de memorie cache. Dar dacă sistemul are memorie cache, efectul DRAM EDO este mic. Producător : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construiți Anul / Săptămână : 1997/32 Tara de fabricatie : Coreea (Coreea de Sud) Part Number […]