Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (1RX8, China)

Postat de DeviceLog.com | postat în DDR3 SDRAM | postat pe 2013-01-09

6

SDRAM DDR3 de 2 GB Samsung 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Numele produsului Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB Memorie (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Producător Samsung Electronics Țara producției China Anul / săptămâna 2010/38 Capacitate date 2 GB Viteza ceasului 1333Mhz (PC3-10600) Caracteristici 240pin, Unbuffer DIMM non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tehnologia procesului de producție 40nm Biți de date x64 Bănci de module interne 8 compoziție cip de date [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chipsuri […]

Continuați lectură

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Postat de DeviceLog.com | postat în DDR SDRAM | postat pe 2012-10-25

0

Memorie A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, în modulele de memorie DDR SDRAM, a atins mai întâi viteza de ceas de 600Mhz cu cipurile de memorie Samsung TCCD. Capacitatea datelor A-data Viesta a fost de 512 MB sau 256 MB. A fost folosit mai ales pentru ovcrclocking.   Denumire produs A-DATA Vitesta DDR600 512MB Cod piesă MDOSSLF3H47A0B1G0Z Producător A-DATA Țara producătorului Taiwan Anul construcției 2004 Dispune de 184 pini Unbuffer […]

Continuați lectură

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Postat de DeviceLog.com | postat în DRAM Original | postat pe 2012-05-18

1

Partea din spate Samsung 1MB DRAM SIMM (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 este compus din două cipuri KM44C1000AJ-7 și un cip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 este compus cu două cipuri KM44C1000BJ-7 și un cip KM44C1000CJ-7. Sunt SIMM-uri DRAM de 1MB produse de Samsung Electronics. Companie de producție : Anul fabricat de Samsung Electronics : 1992 / 1993 Tara de fabricatie : Caracteristicile modulului Coreea de Sud : 30bolț, SIMM, Paritate RAM Capacitate memorie […]

Continuați lectură

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Postat de DeviceLog.com | postat în DDR3 SDRAM | postat pe 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 de 2 GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

numele produsului : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Număr parte : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Producător : ELPIDA Țara de producție : Anul / săptămâna Taiwan a construit : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Caracteristici : 204bolț, Capacitate de memorie non-ECC : 2Rata maximă de date GB : 1333Tensiune Mbps : 1.5V Organizare : 256cuvinte M × 64 biți, 2 se clasează pe Compoziția Chipului : J1108BFBG-DJ-F […]

Continuați lectură

SIM Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Postat de DeviceLog.com | postat în EDO DRAM | postat pe 2011-08-04

1

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Partea frontală)

EDO DRAM dispune de spațiu de memorie temporară pentru I / O de date mai rapide. Este eficient atunci când sistemul nu poate primi suport de memorie cache. Dar dacă sistemul are memorie cache, efectul DRAM EDO este mic. Producător : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construiți Anul / Săptămână : 1997/32 Tara de fabricatie : Coreea (Coreea de Sud) Part Number […]

Continuați lectură